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当社では、ビジネス拡大のため、定期採用に拘わらず、優秀な人材を国籍を問わず常時求めています。
≪募集要員≫
光半導体・マイクロ波半導体の開発・設計エンジニア
□ 半導体LD
□ 半導体PD
□ GaN HEMT
□ GaAs FET
□ InP HBT
≪募集対象≫
新卒および35才位までの実務経験者
（開発・設計に興味と意欲があれば、実務経験については相談可）
英語できれば尚可
≪給与≫
当社、給与規定による
（ 経験、能力を考慮の上、決定します。 ）
≪待遇≫
昇給年1回、賞与年2回
各種社会保険完備 （健康保険 ・ 厚生年金 ・ 雇用保険 ・ 労災保険） 企業年金
≪勤務地≫
横浜 ・ 山梨 ・ 海外勤務
≪勤務時間≫
8：30〜17：15 勤務地によって多少異なります。
≪休日休暇≫
土曜、日曜 （完全週休2日制）祝日、年末年始、年次有給休暇、夏期休暇、等
