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| 2.1 安全上の注意事項 | 2.2 実装方法 | 2.3 洗浄方法 | 2.4 保管・開梱に関する注意 | 2.5 静電気に関する注意 |


品質・信頼性ハンドブック
II. 製品の取扱い

2. 取扱い上の注意

2.1 安全上の注意事項

化合物半導体デバイスは、取扱いに際し下記の安全上の警告事項がありますので、注意事項を遵守してください。また、品種毎の警告事項に関してはデータブックの各品種の項を参照してください。



ガリウムヒ素(GaAs)について
chuui.gif 正しく使用しない場合、軽傷または中程度の傷害を負う危険性があることを示しています。
注 意 事 項 該 当 品 種
GaAs 当製品にはガリウムヒ素(GaAs)が使用されています。
危険防止のために、下記の事項を厳守してください。
・ 製品を口にいれないでください。
・ 製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。

・ 廃棄する場合は、関係法令と貴社の社内廃棄物処理規定に従ってください。		 ・マイクロ波半導体デバイス

廃棄については、第4.4項「GaAs製品の廃却方法」を参照してください。

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2.2 実装方法

半導体デバイスの固定方法はパッケージ構造により、ねじ止めとはんだ付けの2種類があります。誤った方法で実装するとデバイスの信頼性を低下させる場合があります。下記の点に注意して実装してください。


(1) ねじ止め時の注意事項(対象 : GaAs FET)



(a) 取付け面(ヒートシンク)
  • ねじ穴部のバリは面取りをしてください。
  • 取付け面の平面度は、品種によって異なりますので、当社営業担当部門までお問い合わせください。


(b) 推奨トルク
下記に示す推奨トルクで締め付けてください。その際最大トルク条件を超えないでください。

推奨トルク条件表

パッケージ 推奨トルク 最大トルク 推奨ねじ
IB 44.1N・cm
(4.5kg・cm)		 49.0N・cm
(5.0kg・cm)		 M3.0
IA,IK,IL,IP,IU,IQ 24.5N・cm
(2.5kg・cm)		 29.4N・cm
(3.0kg・cm)		 M2.3
GJ,ME,MG,MK 19.6N・cm
(2.0kg・cm)		 24.5N・cm
(2.5kg・cm)		 M2.0
MH,WF,WG 7.84N・cm
(0.8kg・cm)		 9.8N・cm
(1.0kg・cm)		 M1.4

上記に記載されていないパッケージについては、当社営業担当部門にお問い合わせください。
(c) 取付け位置
パッケージのフランジ部をヒートシンクにねじ止めしてください。ねじの取付け間隔はデバイス型格を確認し、当社データブックに示す寸法にてタップを設定してください。


(f) その他
  • ねじ止めは、必ず仮止めおよび対角線止めを実施してください。(片締めはしないでください)
  • 電動ドライバーは慣性トルクが働くため、使用する場合は事前にトルクメータにて締めつけトルクを確認してください
  • 半導体デバイスとヒートシンクの間には、インジウムシート、はんだシート、シリコングリースなどは挟まないでください。いずれもパッケージに歪みや変形が生じ、パッケージの気密性劣化および長期使用時における熱抵抗劣化の原因となります。
  • 表面実装デバイスの場合は全てのGND端子をはんだ付してください。
(2) はんだ付時の注意事項



(a) 推奨はんだ
JIS Z 3282に規定されたH60，H63(Sn/Pb)，H62Ag2(Sn/Pb/Ag)または同等品


(b) 推奨フラックス
ロジン系の塩素含有率0.2wt％以下のもの


(c) 保管日数
樹脂封止品は、パッケージタイプごとに包装開封後の許容される保管日数を定めている製品があります。開封後の許容保管日数は下記の表記方法により示しています。開封後保管日数を超えた場合、125℃、24時間のベーキングを実施した上で実装してください。

注意1) テーピング品のテープは耐熱性ではありませんので、テーピング状態でのベーキングは実施しないでください。

注意2) 耐熱トレイ品は、表示温度、時間(例：125℃、24h以下)を守ってベーキングを実施してください。また、非耐熱トレイでのベーキングは実施しないでください。

  • 表記方法
    hokannissuu.gif


(d) 推奨はんだ付方法

これらのプロファイルは代表例ですので、対応していない半導体デバイスもあります。
また、鉛フリー化については製品個別に対応致します。
詳細は当社営業担当部門にお問い合わせください。
(e) その他の注意事項
  • 樹脂封止品の場合は、当社の指定条件を超えたリフローを行うと、樹脂の劣化を引き起し、故障の原因となります。
  • 気密封止品の場合でも、過剰なリフローはロー付け封止部の劣化を引き起し、気密不良の原因となります。また、はんだ量が過剰となっても、ロー付け封止部にはんだが這い上がり、気密不良の原因となります。
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2.3 洗浄方法

はんだ付により半導体デバイスを実装した場合、フラックスが残る場合があります。このフラックスの残渣(塩素、ハロゲンなど)があると、吸湿、塵埃の付着により絶縁性の劣化(リーク電流増大)および金属部の腐蝕が発生する可能性がありますので、洗浄をしてください。
なお、下記条件においても使用するフラックス、洗浄装置などにより洗浄度合いが異なる場合があります。洗浄液、洗浄方法および条件を決定する際は、洗浄後の外観およびデバイスの表面に残留しているイオン類の調査を実施した上で良好な洗浄条件を決定してください。


(1) 洗浄液
脱イオン水、プロパノール、代替フロン
(2) 洗浄方法、時間



(a) 浸漬洗浄およびシャワーリンスの場合 最大5分


(b) 超音波洗浄の場合
時間：最大5分 (ただし、超音波による洗浄は樹脂封止品のみとし、気密封止品については避けてください。気密封止品は、ワイヤが共振によりワイヤ接続部で断線する恐れがあります。)

(3) 洗浄回数
洗浄回数は特に規定しておりませんが、洗浄の積算時間が上記規定時間(最大5分)を超えないようにしてください。
(4) その他の注意事項



(a) 洗浄中または洗浄液が製品に付着している状態でブラシや手で捺印面を擦ると、捺印が消える恐れがあります。


(b) 無洗浄はんだなどをご使用になる場合には、貴社にて実績のある方法を適用してください。
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2.4 保管・開梱に関する注意

製品の信頼性を維持するため、製品を保管する場合、または外装および内装より製品を取り出す場合は、下記の注意事項を遵守してください。


(1) 保管期限
当社製品には気密封止品、樹脂封止品およびチップ品があります。
製品の保管期限は、(2)項に示す環境下で下表のとおりです。
製品分類 顧客での保管期限
気密封止品 納品日より1年
樹脂封止品 通常包装 納品日より1年
防湿包装 納品日より1年(ただし、内装開封後は指定日数以内)
チップ品 納品日より1年(ただし、内装開封後は6ケ月以内)


(a) 保管期限を超えた場合、リード端子や電極が酸化し、はんだ付性やボンディング性の劣化などが懸念されます。使用前に、はんだ付性、ボンデイング性および電気的特性を確認してください。


(b) 防湿包装(アルミラミネート袋と乾燥剤を使用)の樹脂封止品は、内装開封後の指定日数を超えた場合、ベーキング(125℃ , 24時間を推奨) を実施の上、指定日数以内に実装してください。なお指定日数は、当社営業担当部門までお問い合わせください。

(2) 保管時の注意



(a) 梱包段ボール等に表示されている荷扱い指示マークに従い、注意してください。
mark.gif


(b) 保管については、下記に従ってください。
  • 温度(5〜35℃)、相対湿度(40〜75％)の屋内に保管してください。
  • 水分の結露が起きないよう温度変化の少ない場所に保管してください。
  • 直射日光を避けて、塵埃が少なく腐蝕性ガスが存在しない場所に保管してください。
  • 加湿器により湿度コントロールが必要な場合は、加湿用の水が汚れていると腐蝕や錆などの原因になることが考えられますので注意してください。
  • 機械的ストレス(振動や衝撃など)が加わらないようにしてください。
  • 外装を開封後に、トレーやテーピングの状態で保管する際は、平らな場所に置いてください。凸凹のある場所に置いたり、逆さにしたり、立てかけたりして保管すると、トレーやテーピングが変形し、内部の製品が変形する原因となります。また、トレーやテーピングを積み重ねて保管する場合も、過度な加重により変形しないように注意してください。
  • トレーおよびテーピングは静電気対策資材を使用しております。製品をトレーやテーピングから取り出して保管する場合は、静電気対策資材のトレーなどに保管してください。
    また、保管に使用されるトレーは、リード端子に加重が加わらない形状にしてください。
  • 樹脂封止品を防湿包装から取り出した後に再度保管する場合は、できるだけ乾燥窒素雰囲気内で保管してください。


(c) チップ品の保管については、下記に従ってください。
  • 乾燥窒素雰囲気内で保管してください。
  • 機械的ストレス(振動や衝撃など)が加わらないようにしてください。
  • 開封後の残りのチップは、当社のトレーに収納して保管してください。
(3) 開梱時の注意



(a) 内装を開封して製品を取り出す場合は、静電気対策(2.5項)を厳守してください。


(b) 素手で製品にに触れないようにしてください。


(c) トレーを使用している製品を開封する場合は、トレーを水平に保持し、テープを静かに剥がすか、またはクリップを横方向に静かにスライドしてください。トレーを斜めにしたり、トレーに振動や衝撃が加わると、収納されている製品が飛び出したり、またはトレー内で製品が躍り、リード端子の曲がりなどが発生する恐れがありますので、注意してください。
また、トレーの積み重ねや蓋を閉める場合、およびテープやクリップで止める場合についても、上記と同様に注意してください。


(d) チップ品の内装を開封する場合は、上記(a) (b)に加え、下記にも注意してください。
  • 開封はクリーンルームまたはクリーンベンチ内などの清浄度がよい場所で行ってください。
  • 内装袋の開封は、トレーに無理な力が加わらないように、ハサミまたはカッターナイフなどを使用してください。
  • 上記(3)-(b)によりトレーを固定しているクリップを外した後は、上蓋を付けた状態で机上に静かに置き、トレーが持ち上がらないように静かに上蓋を持ち上げてください。
  • チップはピンセットなどで取り出してください。また、ピンセットを使用する場合、チップ端面をはさんで取り出し、チップにクラックや傷が生じないように注意してください。なおチップに異物を付着させないために、ピンセットは先端が清浄なものを使用してください。
  • 残ったチップを保管する場合は、上記(3)-(b)に注意して上蓋(上蓋とトレーの間にある保護シートも含む)をかぶせてください。なお、保護シートを素手で触るとチップの汚れの原因になりますので避けてください。
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2.5 静電気に関する注意

半導体デバイスは，静電気放電(ESD＊）に敏感なデバイスです。
また，包装材(トレーなど)には，右図のESDに敏感なデバイスであることを示す静電気注意マークが表示されています。
当社製品を取り扱う場合は、下記事項について注意してください。
(＊ESD: Electrostatic Discharge)		 seidenki.gif

(1) 当社製品の静電気耐量
当社製品は静電気耐量に応じて下表のようにクラス分類されています。
ESDクラス 0 I II III
静電気耐量(V) 〜199 200〜499 500〜1999 2000〜

静電気耐量試験方法: EIAJ ED-4701 C-111A(C=100pF,R=1.5kオーム)



(a) GaAs FET、HEMTのESDクラス

クラス 製品シリーズ 型格名
0 HEMT FHC30LG,FHC31LG,FHC40LG,
FHX04LG/LP/X,FHX05LG/LP/X,FHX06LG/LP,
FHX13LG/LP/X,FHX14LG/LP/X,FHX35LG/LP/X
FHX76LP,FHX45X
小信号FET FSU01G
FSX56LP,FSX017LG,FSX17WF,FSX017X
高出力FET FLK017WF,FLK017XP
I 小信号FET FLK027XP,FLK027XV
FSU02LG
FSX02LG,FSX027WF,FSX027X
高出力FET FLC057WG
FLK027WG,FLK057WG,FLK057XV
II 高出力FET FLC087XP,FLC157XP,FLC097WF,FLC167WF,FLC107WG
FLL107ME,FLL177ME
FLU10XM,FLU10ZM,FLU17XM,FLU17ZM
入力整合型高出力FET FLC257MH-6,FLC257MH-8
FLX107MH-12,FLX207MH-12
FLK107MH-14,FLK207MH-14,FLK107XV,FLK207XV
III 高出力FET FLL200IB-1,-2,-3
FLL300IL-1,-2,-3
FLL400IK-2,-2C,FLL410IK-3C,-4C,FLL600IK-2C,
FLL800IK-2C
FLL400IP-2,-3
FLL310IQ-3A,FLL600IQ-2,-3,FLL600IQ-2C,
FLL800IQ-2C,FLL810IQ-3C,FLL810IQ-4C
FLL1200IU-2,-3,FLL1500IU-2A,FLL1500IU-2C,
FLL2400IU-2C
FLL357ME
FLL57MK,FLL120MK
FLU35XM
FLU35ZM
入力整合型高出力FET FLC317MG-4
入出力整合型高出力FET FLMxxxx-3F,FLMxxxx-4F,FLMxxxx-6F,FLMxxxx-8F,
FLMxxxx-12F,FLMxxxx-18F,FLMxxxx-25F

(b) GaAs MMICのESDクラス

クラス 製品シリーズ 型格名
0 VSAT用パワーアンプMMIC FMM5010VF,FMM5017VF,FMM5007VF,FMM5051VF
FMM5522GJ
KバンドパワーアンプMMIC FMM5802X,FMM5803X,FMM5804X,FMM5805X,
FMM5806X,FMM5807X,FMM5815X
FMM5805GJ-1,FMM5807GJ-1,FMM5811GJ-1,
FMM5815GJ-1
Kバンド低雑音パワーアンプ
MMIC		 FMM5701LG
FMM5701X,FMM5702X,FMM5703X,FMM5704X
CバンドパワーアンプMMIC FMM5056VF
Kaバンドアップコンバータ
MMIC		 FMM5116X
Kaバンドダウンコンバータ
MMIC		 FMM5117X
Kaバンド逓倍器MMIC FMM5118X
Kaバンドローノイズアンプ
MMIC		 FMM5703VZ
KaバンドパワーアンプMMIC FMM5804VY
携帯電話用パワーアンプ
MMIC		 FMM5605ZE
FMM5525ZI,FMM5526ZI
I PHS用 MMIC FMM5011ZE
DBS用 MMIC FMM5201ML,FMM5202ML
移動体通信用ドライバアンプ
MMIC		 FMM5046VF
FMM5049VT
FMM5052ZE
II DBS用 MMIC FMM5107VD
FMM5107ML
移動体通信用ドライバアンプ
MMIC		 FMM5052ZE

上記に記載されていない製品については、当社営業担当部門にお問い合わせください。



(2) 静電気対策



(a) 環境条件
相対湿度が低下すると、帯電しやすい状態となり、静電気破壊を起こす危険性が増大しますので、湿度管理をしてください(相対湿度40〜75％程度が望ましい)。


(b) 作業場所
作業台は，導電性マットを敷設し接地してください。また，ESDクラス0の製品を取り扱う場合は，作業場所の床に導電性マットを敷設し接地してください。なお、導電性マットは定期的に表面抵抗や接地状態を点検してください。


(c) 作業者
半導体デバイス単体および半導体デバイスを実装した基板を取り扱うときには，リストストラップ(アースバンド)を正しく着用し，人体を確実に接地してください(安全上，人体と接地間に1Mオーム程度の保護抵抗を挿入してください)。なお，リストストラップは定期的に接地状態を点検してください。また，ESDクラス0の製品を取り扱う場合は，帯電防止用の衣服および靴を着用してください。


(d) 設備・器具・用品類
  • 半導体デバイスを取り扱う設備や器具は、筐体を接地してください。
  • 設備や器具で半導体デバイスに接触する箇所は、静電気の蓄積が起こらないように静電気拡散性材料(*1)または静電気導電性材料(*2)を使用して接地してください。絶縁性材料(*3)（プラスチックの様な帯電しやすい物）が半導体デバイスに接触または近接する場合は帯電防止用に除電装置(イオナイザ)を使用してください。
  • はんだごては、こて先が接地されているものを使用してください。

    [参考]
    (*1) 静電気拡散性材料 : 表面抵抗率 ≧1X105オーム , ＜1X1011オーム
    (*2) 静電気導電性材料 : 表面抵抗率 ≧1X102オーム , ＜1X105オーム
    (*3) 絶縁性材料 : 表面抵抗率 ≧1X1011オーム
    (IEC技術報告書タイフ゜2 IEC 61340-5-1より)


(e) その他
  • 半導体デバイスを当社トレーやテーピングリールから取出す場合は、半導体デバイスのリード端子に触れないようにしてください。また、保管・輸送は、静電気対策された容器を使用してください。
  • 半導体デバイスを回路に取り付ける場合、前もって回路を接地してその回路の静電気を逃してください。
  • 半導体デバイス装着後の回路基板は、基板はんだ面・テストピン・その他の配線に触れないようにし、また、基板同士が接触しないようにしてください。

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