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表-1 光半導体デバイス認定試験(例)
| No. |
試験名 |
LTPD(%)＊ |
試験条件 |
| 1 |
衝撃 |
20 |
方向 X1,2, Y1,2, Z1,2, 回数 各5サイクル
TEC内蔵型 ：加速度 4.9 km/s2, パルス幅 1.0 ms
TEC非内蔵型：加速度 14.7 km/s2, パルス幅 0.5 ms |
| 2 |
振動 |
20 |
周波数 20〜2,000 Hz, 加速度 196 m/s2,
方向 X,Y,Z, 4分/サイクル, 回数 各4サイクル |
| 3 |
熱衝撃 |
20 |
低温 0℃, 高温 100℃,
時間 各5分, 回数 10サイクル |
| 4 |
半田付け性 |
20 |
温度 245℃, 時間 5秒
本体から1〜1.5 mmまで各リート゛1回 |
| 5 |
ファイハ゛強度 |
20 |
引張強度 1Kg， 回数 各5回， 時間 5秒 |
| 6 |
端子強度 |
20 |
引っ張り：引っ張り荷重は、パッケージタイプごとに異なります。
保持時間 10秒, 回数 1回 |
| 7 |
温度サイクル |
20 |
温度 -40℃〜+85℃
時間 30分〜30分, 回数500サイクル |
| 8 |
高温保存 |
20 |
温度 Ta=+85℃, 2,000時間 |
| 9 |
低温保存 |
20 |
温度 Ta=-40℃, 2,000時間 |
| 10 |
連続動作 |
20 |
温度、時間および動作条件は、品種ごとに異なります。 |
| 11 |
パッケージ
内部水分量 |
20 |
≦5,000ppm |
- * LTPD（lot tolerance percent defective）： ロット許容不良率
- （抜取検査で合格する確率が、ある特定の小さい値になるような検査ロットの不良率
…JIS Z 8101より）
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